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BAS21T中文资料switching diode数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAS21T

参数属性

BAS21T 封装/外壳为SOT-523;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT523

功能描述

switching diode
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT523

封装外壳

SOT-523

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:25:00

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BAS21T规格书详情

简介

BAS21T属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的BAS21T二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAS21T

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard (Q on Request)

  • Configuration

    :Single

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :150 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :250 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :50 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :200 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :2.5 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.1 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :200 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :200

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :5 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA

    :0.9

  • VF(V) Max @ IF=10mA

    :1

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :100nA@200V

  • Packages

    :SOT523

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