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BAS21QB数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

BAS21QB

参数属性

BAS21QB 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN

功能描述

High-voltage switching diode

封装外壳

3-XDFN 裸露焊盘

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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BAS21QB规格书详情

描述 Description

High-voltage switching diode, encapsulated in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015, JEDEC MO340-BA) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks.

特性 Features

• High switching speed: trr ≤ 50 ns
• Low leakage current
• High reverse voltage: VR ≤ 200 V
• Low capacitance: Cd ≤ 5 pF
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.5 mm
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• High-speed switching
• General-purpose switching
• Voltage clamping
• Reverse polarity protection

技术参数

  • 制造商编号

    :BAS21QB

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DFN1110D-3

  • Size (mm)

    :1.1 x 1 x 0.48

  • VR [max] (V)

    :200

  • IFSM [max] (A)

    :9

  • VF [max] (mV)

    :1250@IF=200mA

  • IR [max] (nA)

    :100@VR=200V

  • IFRM (mA)

    :625

  • Configuration

    :single

  • trr [max] (ns)

    :50

  • IF [max] (mA)

    :250

  • Cd [max] (pF)

    :5

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