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BAS21QB	文件：238.58 Kbytes Page：12 Pages	丝印：B6；Package：DFN1110D-3；High-voltage switching diode 1. General description High-voltage switching diode, encapsulated in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015, JEDEC MO340-BA) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 50 ns • Low leakage current • Hig 文件：238.58 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS21QB-Q	文件：239.73 Kbytes Page：12 Pages	丝印：B6；Package：DFN1110D-3；High-voltage switching diode 1. General description High-voltage switching diode, encapsulated in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015, JEDEC MO340-BA) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 50 ns • Low leakage current • Hig 文件：239.73 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS21QB	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-voltage switching diode High-voltage switching diode, encapsulated in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015, JEDEC MO340-BA) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks. • High switching speed: trr ≤ 50 ns\n• Low leakage current\n• High reverse voltage: VR ≤ 200 V\n• Low capacitance: Cd ≤ 5 pF\n• Leadless ultra small SMD plastic package\n• Low package height of 0.5 mm\n• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BAS21QB-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-voltage switching diode High-voltage switching diode, encapsulated in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015, JEDEC MO340-BA) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks. • High switching speed: trr ≤ 50 ns\n• Low leakage current\n• High reverse voltage: VR ≤ 200 V\n• Low capacitance: Cd ≤ 5 pF\n• Leadless ultra small SMD plastic package\n• Low package height of 0.5 mm\n• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint\n• Qualified according to AEC-Q1;	Nexperia 安世	Nexperia
BAS21QB-QZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS21QBZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
DFN1110D-3
Size (mm)：
1.1 x 1 x 0.48
VR [max] (V)：
200
IFSM [max] (A)：
9
VF [max] (mV)：
1250@IF=200mA
IR [max] (nA)：
100@VR=200V
IFRM (mA)：
625
Configuration：
single
trr [max] (ns)：
50
IF [max] (mA)：
250
Cd [max] (pF)：
5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威雅利发展有限公司	BAS21QB	恩XP	2107+	3-XDFN	2000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多BAS21QB供应商更新时间2025-10-6 14:07:00

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