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BAS21QB分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

BAS21QB
厂商型号

BAS21QB

参数属性

BAS21QB 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN

功能描述

High-voltage switching diode

丝印标识

B6

封装外壳

DFN1110D-3 / 3-XDFN 裸露焊盘

文件大小

238.58 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-8 23:49:00

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BAS21QB规格书详情

1. General description

High-voltage switching diode, encapsulated in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015, JEDEC

MO340-BA) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks.

2. Features and benefits

• High switching speed: trr ≤ 50 ns

• Low leakage current

• High reverse voltage: VR ≤ 200 V

• Low capacitance: Cd ≤ 5 pF

• Leadless ultra small SMD plastic package

• Low package height of 0.5 mm

• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• High-speed switching

• General-purpose switching

• Voltage clamping

• Reverse polarity protection

产品属性

  • 产品编号:

    BAS21QBZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    250mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装,可润湿侧翼

  • 封装/外壳:

    3-XDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN1110D-3

  • 工作温度 - 结:

    150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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