BAS21QB-Q数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
BAS21QB-Q |
参数属性 | BAS21QB-Q 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN |
功能描述 | High-voltage switching diode |
封装外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |
制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-12 8:48:00 |
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BAS21QB-Q规格书详情
描述 Description
High-voltage switching diode, encapsulated in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015, JEDEC MO340-BA) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks.
特性 Features
• High switching speed: trr ≤ 50 ns
• Low leakage current
• High reverse voltage: VR ≤ 200 V
• Low capacitance: Cd ≤ 5 pF
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.5 mm
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
• High-speed switching
• General-purpose switching
• Voltage clamping
• Reverse polarity protection
技术参数
- 产品编号:
BAS21QB-QZ
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
250mA
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
5pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装,可润湿侧翼
- 封装/外壳:
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
DFN1110D-3
- 工作温度 - 结:
150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PANJIT |
22+ |
SOT-23 |
30000 |
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询价 | ||
PANJIT |
23+ |
SOT-23 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
Taiwan Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
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Taiwan Semiconductor(台湾半导 |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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PANJIT |
24+ |
SOT23 |
18560 |
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询价 | ||
恩XP |
2023+ |
3-XDFN |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
NEXPERIA |
22+ |
SMD |
54000 |
询价 | |||
PANJIT |
24+ |
NA/ |
115240 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
PANJIT |
25+ |
SOT-23 |
700000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
2109+ |
3-XDFN |
2000 |
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询价 |