首页>BAS21QB-Q>规格书详情

BAS21QB-Q数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

PDF无图
厂商型号

BAS21QB-Q

参数属性

BAS21QB-Q 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN

功能描述

High-voltage switching diode

封装外壳

3-XDFN 裸露焊盘

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-12 8:48:00

人工找货

BAS21QB-Q价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BAS21QB-Q规格书详情

描述 Description

High-voltage switching diode, encapsulated in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015, JEDEC MO340-BA) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks.

特性 Features

• High switching speed: trr ≤ 50 ns
• Low leakage current
• High reverse voltage: VR ≤ 200 V
• Low capacitance: Cd ≤ 5 pF
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.5 mm
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

应用 Application

• High-speed switching
• General-purpose switching
• Voltage clamping
• Reverse polarity protection

技术参数

  • 产品编号:

    BAS21QB-QZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    250mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装,可润湿侧翼

  • 封装/外壳:

    3-XDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN1110D-3

  • 工作温度 - 结:

    150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANJIT
22+
SOT-23
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
询价
PANJIT
23+
SOT-23
63000
原装正品现货
询价
Taiwan Semiconductor
2022+
原厂原包装
6800
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
Taiwan Semiconductor(台湾半导
24+
SOT23(TO236)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
PANJIT
24+
SOT23
18560
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款
询价
恩XP
2023+
3-XDFN
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
NEXPERIA
22+
SMD
54000
询价
PANJIT
24+
NA/
115240
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
PANJIT
25+
SOT-23
700000
原装正品,假一罚十!
询价
恩XP
2109+
3-XDFN
2000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价