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BAS21QAZ

High-voltage switching diode

1. General description High-voltage switching diode, encapsulated in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and soldarable side pads. 2. Features and benefits • High switching speed: trr ≤ 50 ns • Low leakage current: IR ≤ 100 n

文件:218.62 Kbytes 页数:11 Pages

NEXPERIA

安世

BAS21QAZ

Package:3-XDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 250V 330MA 3DFN

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

BAS316,115

SOD-323

NEXPERIA/安世

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

NEXPERIA/安世

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SOD-323

NEXPERIA/安世

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

NEXPERIA/安世

BAS316-QX

SOD-323

NEXPERIA/安世

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

NEXPERIA/安世

产品属性

  • 产品编号:

    BAS21QAZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    330mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN1010D-3

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 250V 330MA 3DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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