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BAS21-Q分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

BAS21-Q
厂商型号

BAS21-Q

参数属性

BAS21-Q 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTT 200V 200MA TO236AB

功能描述

High-voltage switching diode

丝印标识

JS

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

203.75 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 17:30:00

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BAS21-Q规格书详情

1. General description

High-voltage switching diode encapsulated in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

2. Features and benefits

• High switching speed: trr ≤ 50 ns

• Low leakage current

• Reverse voltage VR ≤ 200 V

• Low capacitance: Cd ≤ 5 pF

• Small SMD plastic package

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

• High-speed switching at high voltage

• High-voltage general-purpose switching

• Voltage clamping

• Reverse polarity protection

产品属性

  • 产品编号:

    BAS21-QVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 工作温度 - 结:

    150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTT 200V 200MA TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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