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BAS21LT1G分立半导体产品二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

BAS21LT1G
厂商型号

BAS21LT1G

参数属性

BAS21LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GP 250V 200MA SOT23-3

功能描述

High Voltage Switching Diode
DIODE GP 250V 200MA SOT23-3

文件大小

52.88 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-1 14:26:00

BAS21LT1G规格书详情

High Voltage

Switching Diode Device Marking:

• BAS19LT1 = JP

• BAS20LT1 = JR

• BAS21LT1 = JS

• BAS21DW5T1 = JS

Features

• Pb−Free Packages are Available

BAS21LT1G属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。安森美半导体公司制造生产的BAS21LT1G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

产品属性

  • 产品编号:

    BAS21LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GP 250V 200MA SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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