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BAS16	文件：48.93 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A6；Package：SOT-23；Small Signal Diode SmallSignalDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BAS16	文件：75.96 Kbytes Page：1 Pages	200 mW EPITAXIAL PLANAR DIODES Features ●PLANARPROCESS ●200mWPOWERDISSIPATION ●INDUSTRYSTANDARDSOT-23PACKAGE ●MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
BAS16	文件：308.85 Kbytes Page：3 Pages	Surface mount switching diode FEATURES ●Fastswitchingspeed. ●SurfacemountpackageideallysuitedforAutomaticinsertion. ●Forgeneralpurposeswitchingapplications. ●Highconductance. APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS16	文件：184.06 Kbytes Page：5 Pages	Three Terminals SMD Switching Diode Features •SiliconEpitaxialPlanarDiode •UltraFastSwitchingSpeed •HighConductance •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
BAS16	文件：48.47 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Switching Diode VoltageRange75Volts 350mWattsPowerDissipation Features ◇Fastswitchingspeed ◇Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion ◇Forgeneralpurposeswitchingapplications ◇Highconductance	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS16	文件：40.33 Kbytes Page：2 Pages	High-speed diode ■Features ●FastSwitchingSpeed ●ForGeneralPurposeSwitchingApplications ●HighConductance	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS16	文件：177.32 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR SWITCHING DIODE Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance Applications •Ultrahighspeedswitchingapplication	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAS16	文件：49.81 Kbytes Page：2 Pages	350mW 100Volt Switching Diode Features ·LowCurrentLeakage ·LowCost ·SmallOutlineSurfaceMountPackage	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
BAS16	文件：102.41 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES VOLTAGE100-250VoltsPOWER250mWatts FEATURES •Fastswitchingspeed. •SurfacemountpackageIdeallySuitedforAutomaticinsertion •ElectricallyIdenticaltoStandardJEDEC •HighConductance •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS16	文件：55.86 Kbytes Page：12 Pages	High-speed diode DESCRIPTION TheBAS16isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinasmallSOT23plasticSMDpackage. FEATURES •SmallplasticSMDpackage •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakreversevoltage:max.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
BAS16
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23

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