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BAV101	文件：171.04 Kbytes Page：2 Pages	Ultrafastsiliconrectifierdiodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
BAV101	文件：94.03 Kbytes Page：2 Pages	500mWHermeticallySealedGlassHighVoltageSwitchingDiodes Features ●HighVoltageSwitchingDevice ●MiniMelfpackage ●Surfacedevicetypemounting ●Hermeticallysealedglass ●Compressionbondedconstruction ●Allexternalsurfacearecorrosionresistantandleadsarereadilysolderable ●RoHScompliant ●MatteTin(Sn	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAV101	文件：150.47 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE VOLTAGERANGE:50-200V CURRENT:250mA FEATURES ◇Siliconepitaxialplanardiode ◇Highspeedswitchingdiode ◇500mWpowerdissipation MECHANICALDATA ◇Case:MINI-MELF,glasscase ◇Polarity:Colorbanddenotescathode ◇Weight:Approx0.031grams	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV101	文件：136.48 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage Features •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Generalpurposes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV101	文件：81.29 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV101	文件：765.99 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •MoistureSensitivityLevel1 •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesincluding:theDO-35case withthetypedesi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAV101	文件：248.8 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODES SILICONEPITAXIALPLANARDIODES HighVoltageGeneralPurposeDiodes	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAV101	文件：38.48 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODES FEATURES: •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuousreversevoltage:max.50V,100V,150Vand200Vrespectively •Repetitivepeakreversevoltage:max.60V,120V,200Vand250Vrespectively •Repetitivepeakforwardcurrent:max.625mA. •Pb/RoH	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BAV101	文件：62.36 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV101	文件：144.13 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes FEATURES ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodes ♦Forgeneralpurpose ♦Thesediodesarealsoavailableinother casestylesincluding:theDO-35casewith thetypedesignationsBAV19toBAV21,theSOD-123 casewiththetypedesignationsBAV19WtoBAV21W, andtheSOT-23casewiththe	GE GE Industrial Company	GE

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详细参数

型号：
BAS101S
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 Diode Switching 600V 0.1A 3-Pin
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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