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BAR16	文件：39.04 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PIN Diodes Features RF switch RF attenuator for frequencies above 10 MHz Low distortion factor Long-term stability of electrical characteristics 文件：39.04 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BAR16-1	文件：69.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PIN Diodes Silicon PIN Diodes ●RF switch ●RF attenuator for frequencies above 10 MHz ●Low distortion factor ●Long-term stability of electrical characteristics 文件：69.41 Kbytes 页数：3 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BAR16-1	文件：448.6 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PIN Diode Silicon PIN Diode • RF switch, RF attenuator for frequencies above 10 MHz • Low distortion faktor • Long-term stability of electrical characteristics • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：448.6 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAR16-1	文件：87.29 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PIN Diode 文件：87.29 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAR16-1	文件：848.04 Kbytes Page：7 Pages	丝印：L9s；Package：SOT23；RF switch, RF attenuator for frequencies above 10 MHz 文件：848.04 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAR16-1	文件：848.04 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PIN Diode 文件：848.04 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAR161E6327HTSA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3	Infineon 英飞凌	Infineon
BAR161E6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

电压 - 峰值反向（最大值）：
100V
电流 - 最大值：
140mA
不同 Vr，F 时的电容：
0.5pF @ 50V，1MHz
不同 If，F 时的电阻：
12 欧姆 @ 10mA，100MHz
功率耗散（最大值）：
250mW
工作温度：
150°C（TJ）
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3

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