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BAR151E6327HTSA1数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
BAR151E6327HTSA1 |
| 参数属性 | BAR151E6327HTSA1 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3 |
| 功能描述 | 射频开关 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | BAR151E6327HTSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BAR151E6327HTSA1规格书详情
简介
BAR151E6327HTSA1属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的BAR151E6327HTSA1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 产品编号：
BAR151E6327HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
托盘
- 二极管类型：
PIN - 1 对共阴极
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
100V
- 不同 Vr、F 时电容：
0.5pF @ 50V，1MHz
- 不同 If、F 时电阻：
12 欧姆 @ 10mA，100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
PG-SOT23
- 描述：
RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOT23(TO236) |
3022 |
只做原装,提供一站式配单服务,代工代料。BOM配单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
SOT-23-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
SOT-23-3 |
20000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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NA |
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INFINEON |
20+ |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOT-23-3 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
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INFINEON/英飞凌 |
2025 |
3000 |
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询价 | |||
INFINEON |
23+ |
SOT-23 |
20000 |
询价 |
