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BA783	文件：75.11 Kbytes Page：3 Pages	Band Switching Diodes DESCRIPTION For electric bandswitching in radio and TV tuners in the frequency range of (50 to 1000) MHz. The dynamic forward resistance is constant and very small over a wide range of frequency and forward current. The reverse capacitance is also small and largely independent of the reverse vo 文件：75.11 Kbytes 页数：3 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BA783	文件：81.8 Kbytes Page：2 Pages	Bandswitching Diodes FEATURES ♦ Silicon Epitaxial Planar Diode Switches ♦ For electronic bandswitching in radio and TV tuners in the frequency range of 50 … 1000 MHz. The dynamic for ward resistance is constant and very small over a wide range of frequency and forward current. The reverse capacitance is also sma 文件：81.8 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
BA783	文件：33.63 Kbytes Page：1 Pages	Bandswitching Diodes Features ● Silicon Epitaxial Planar Diode Switches ● For high-speed switching application and TV tuners in the frequency range of 50 1000 MHz. The dynamic for ward resistance is constant and very small over a wide range of frequency and forward current.The reverse capacitance is also 文件：33.63 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BA783S	文件：81.94 Kbytes Page：2 Pages	Bandswitching Diodes FEATURES ♦ Silicon Epitaxial Planar Diode Switches ♦ For electronic bandswitching in radio and TV tuners in the frequency range of 50 … 1000 MHz.The dynamic forward resistance is constant and very small over a wide range of frequency and forward current. The reverse capacitance is also small and 文件：81.94 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
BA783S-V	文件：66.16 Kbytes Page：3 Pages	Band Switching Diodes DESCRIPTION Silicon epitaxial planar diode switches. For electric bandswitching in radio and TV tuners in the frequency range of (50 to 1000) MHz. The dynamic forward resistance is constant and very small over a wide range of frequency and forward current. The reverse capacitance is also small 文件：66.16 Kbytes 页数：3 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BA783-V	文件：63.91 Kbytes Page：3 Pages	Band Switching Diodes DESCRIPTION Silicon epitaxial planar diode switches For electric bandswitching in radio and TV tuners in the frequency range of (50 to 1000) MHz. The dynamic forward resistance is constant and very small over a wide range of frequency and forward current. The reverse capacitance is also small a 文件：63.91 Kbytes 页数：3 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BA783-G	文件：77.54 Kbytes Page：3 Pages	Band Switching Diodes 文件：77.54 Kbytes 页数：3 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BA783S	文件：78.46 Kbytes Page：3 Pages	Band Switching Diodes 文件：78.46 Kbytes 页数：3 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BA783-E3-18	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF DIODE PIN 35V SOD123	Vishay 威世	Vishay
BA783-G3-18	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF DIODE PIN 35V SOD123	Vishay 威世	Vishay

技术参数

电压 - 峰值反向（最大值）：
35V
电流 - 最大值：
100mA
不同 Vr，F 时的电容：
1.2pF @ 3V，1MHz
不同 If，F 时的电阻：
1.2 欧姆 @ 3mA，1GHz
工作温度：
125°C（TJ）
封装/外壳：
SOD-123
供应商器件封装：
SOD-123

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更多BA783供应商更新时间2026-4-17 16:30:00

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