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BA3123F	文件：338.68 Kbytes Page：9 Pages	Ground Isolation Amplifier	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BA3123F	文件：1.35683 Mbytes Page：16 Pages	Ground Isolation Amplifier	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BA3123F_15	文件：1.35683 Mbytes Page：16 Pages	Ground Isolation Amplifier	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BA3123F-E2	文件：1.35683 Mbytes Page：16 Pages	Ground Isolation Amplifier	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BG3123	文件：183.61 Kbytes Page：8 Pages	DUALN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BG3123	文件：102.16 Kbytes Page：12 Pages	DUALN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BG3123R	文件：102.16 Kbytes Page：12 Pages	DUALN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BG3123R	文件：183.61 Kbytes Page：8 Pages	DUALN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
C3123	文件：74.19 Kbytes Page：1 Pages	TYPECMP/CL3P 10C187/26BCFLEXFLEXTYPECMP/CL3P	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CPH3123	文件：59.9 Kbytes Page：5 Pages	PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorsHigh-CurrentSwitchingApplications High-CurrentSwitchingApplications Features •AdoptionofMBITprocesses. •Highcurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm). •Highallowablepowerdi	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

详细参数

型号：
BA3123F
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
Ground Isolation Amplifier

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