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B9NC60	文件：461.76 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A - D2PAK/I2PAK PowerMesh?줚I MOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
9NC60	文件：1.10566 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
P9NC60	文件：1.10576 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
STB9NC60	文件：461.76 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL600V-0.6ohm-9A-D2PAK/I2PAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP9NC60	文件：108.73 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-0.6ohm-9ATO-220/TO-220FPPowerMESHIIMOSFET ThePowerMESHIIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY.Thelayoutre finementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP9NC60	文件：1.10766 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
STP9NC60FP	文件：108.73 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-0.6ohm-9ATO-220/TO-220FPPowerMESHIIMOSFET ThePowerMESHIIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY.Thelayoutre finementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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