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STB60NH02LT4

丝印:B60NH02LPackage:TO-263;N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET

■ TYPICAL RDS(on) = 0.0085 Ω @ 10 V ■ TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω @ 5 V ■ RDS(ON) * Qg INDUSTRY’s BENCHMARK ■ CONDUCTION LOSSES REDUCED ■ SWITCHING LOSSES REDUCED ■ LOW THRESHOLD DEVICE ■ SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263) POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”) DES

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

B60NH02L

N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET

■ TYPICAL RDS(on) = 0.0085 Ω @ 10 V ■ TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω @ 5 V ■ RDS(ON) * Qg INDUSTRY’s BENCHMARK ■ CONDUCTION LOSSES REDUCED ■ SWITCHING LOSSES REDUCED ■ LOW THRESHOLD DEVICE ■ SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263) POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”) DES

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    B60NH02L

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多B60NH02L供应商 更新时间2025-8-8 14:44:00