丝印：B60；Package：EMT6；Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

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ROHM

罗姆

丝印：B60NH02L；Package：TO-263；N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET

■ TYPICAL RDS(on) = 0.0085 Ω @ 10 V ■ TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω @ 5 V ■ RDS(ON) * Qg INDUSTRY’s BENCHMARK ■ CONDUCTION LOSSES REDUCED ■ SWITCHING LOSSES REDUCED ■ LOW THRESHOLD DEVICE ■ SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263) POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”) DES

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印：B60N10；Package：TO-251；60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

丝印：B60N10；Package：TO-251；60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

丝印：B60N10；Package：TO-251；60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

丝印：B60N10；Package：TO-251；60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

丝印：B60N10；Package：TO-251；60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

丝印：B60N10；Package：TO-251；60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

丝印：B60N10；Package：TO-251；60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

丝印：B60N10；Package：TO-251；60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体