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CDBA5817-G	文件：74.43 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBA5817-HF	文件：162.78 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBAF5817-G	文件：88.08 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDLL5817	文件：34.05 Kbytes Page：2 Pages	1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5819UR-1AND1N6761UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/586 •1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL5817	文件：48.37 Kbytes Page：2 Pages	1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5819UR-1AND1N6761UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/586 •1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CSMA5817	文件：142.91 Kbytes Page：3 Pages	1.0Amp.SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
DL5817	文件：78.97 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyBarrierRectifier20to40Volts Features •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •LowForwardVoltage •LowPowerLossForHighEfficiency •HighCurrentCapability •SurfaceMountApplications •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DL5817	文件：458.6 Kbytes Page：4 Pages	1AmpSchottkyBarrierRectifier20to40Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DL5817	文件：120.01 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
DL5817	文件：615.32 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfreewheeling,andpolarityprotec	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA

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