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B5817WS	文件：1.17251 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES ♦Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ♦Freewheeling,andpolantyprotectionapplications MECHANICALDATA Case:Moldedplasticbody Terminals:PlatedleadssolderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Polaritysymbolsmarkedoncase Marking:B5817W:SJ	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
B5817WS	文件：318.88 Kbytes Page：3 Pages	1 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 - 40 Volts Features •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •GuardRingProtection •LowForwardVoltageDrop •ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters •HighSurgeCurrentCapability •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSComplian	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
B5817WS	文件：988.34 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES ●ExtremelylowVF. ●Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ●Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ●ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ●FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
B5817WS	文件：144.55 Kbytes Page：5 Pages	SOD-323 20~40V/1A Schottky Diode FEATURES -LowForwardVoltageDrop -Surfacemountdevicetype -Moisturesensitivitylevel1 -PbfreeandRoHScompliant APPLICATION -Generalpurposerectificationapplication MECHANICALDATA -Case:BendleadSOD-323package -Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10s -Weigh	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
B5817WS	文件：1.19314 Mbytes Page：6 Pages	Schottky Diode in a SOD-323 Plastic Package Descriptions SchottkyDiodeinaSOD-323PlasticPackage. Features Lowpositivepressuredrop. Applications SchottkyDiode.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
B5817WS	文件：269.66 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Diodes FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
B5817WS	文件：2.56232 Mbytes Page：4 Pages	丝印：SJ；Package：SOD-323；Extremely low, Low stored change, Majority carrier conduction FEATURES ExtremelylowVF. Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
B5817WS	文件：165.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES oruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
B5817WS	文件：273.29 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES ●ExtremelylowVF. ●Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ●Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ●ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ●FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
B5817WS	文件：165.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES oruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI

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技术参数

PD(mW)：
500
IO(mA)：
1000
VR(V)：
20
VF(V)：
0.75
IR(uA)：
1000
Package：
SOD-123

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多B5817W供应商更新时间2025-7-30 8:31:00

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