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AQY410EH	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410EH	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY410EHA	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY410EHA	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410EHAX	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410EHAX	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY410EHAZ	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY410EHAZ	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410SX	文件：45.73 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)TypeSOPSeries1-Channel(FormB)4-PinType	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410SZ	文件：45.73 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)TypeSOPSeries1-Channel(FormB)4-PinType	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AT-410	文件：85.41 Kbytes Page：3 Pages	FixedAttenuators(N,BNC,TNC)	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
AT-410(40)	文件：1.18736 Mbytes Page：12 Pages	50ohmswidevarietiesstandardconnectors	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
ATN410	文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages	Heavydutyswitches&pilotlightsofferbothvarietyandreliabilityEnduresharshenvironments	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BCL-410	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-410-PL	文件：178.96 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor4AWGWire,StudSize10,Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-410-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCR410	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100µAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR410W	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100µAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR410W	文件：170.88 Kbytes Page：6 Pages	ActiveBiasController	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD410	文件：123.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR TO-126 PlasticPackage	CDIL CDIL	CDIL

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多B410L供应商更新时间2024-5-21 16:51:00

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