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B31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) Applications High frequency DC-DC converters Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：190.95 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
B320A-13-F	文件：0 bytes Page：0 Pages		Diodes 美台上传：深圳市芯睿晨科技有限公司	Diodes 美台
B322-1B7L1-112A0-E100	文件：0 bytes Page：0 Pages		AMPHENOFCI 上传：深圳市三芯电子有限公司	AMPHENOFCI
B32522Q8473K000	文件：0 bytes Page：0 Pages		EPCOS / TDK 上传：深圳市智创诚芯电子科技有限公司	EPCOS / TDK
B32524Q1226M	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	EPCOS 爱普科斯上传：深圳市宏誉半导体有限公司	EPCOS

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