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B2N60

丝印:B2N60;Package:TO-251;2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.3527 Mbytes 页数:13 Pages

WXDH

东海半导体

B2N60

丝印:B2N60;Package:TO-251;2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.40358 Mbytes 页数:13 Pages

WXDH

东海半导体

B2N60

丝印:B2N60;Package:TO-251;2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.3597 Mbytes 页数:13 Pages

WXDH

东海半导体

B2N60

丝印:B2N60;Package:TO-251;2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.34734 Mbytes 页数:13 Pages

WXDH

东海半导体

B2N60

丝印:B2N60;Package:TO-251;2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.34768 Mbytes 页数:13 Pages

WXDH

东海半导体

B2N60

丝印:B2N60;Package:TO-251;2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.34834 Mbytes 页数:13 Pages

WXDH

东海半导体

B2N60D

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.90436 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

B2N65

丝印:B2N65;Package:TO-251;2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.35916 Mbytes 页数:12 Pages

WXDH

东海半导体

B2N65

丝印:B2N65;Package:TO-251;2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.35991 Mbytes 页数:12 Pages

WXDH

东海半导体

B2N65

丝印:B2N65;Package:TO-251;2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.36437 Mbytes 页数:12 Pages

WXDH

东海半导体

技术参数

  • 测量范围,度(最小):

    -10

  • 测量范围,度(最大):

    10

  • 测量轴数量:

    2

  • 外壳长度:

    60

  • 外壳宽度:

    30

  • 外壳高度:

    20

  • 工作电压:

    10…30 VDC

  • 输出性能:

    模拟量输出

  • 输出电压1(最小值):

    0.1

  • 输出电压1(最大值):

    4.9

  • 电气连接:

    接插件

  • 接插件型号:

    M12 × 1

  • 外壳材料:

    PC

  • 最低环境温度:

    -30

  • 最高环境温度:

    70

  • 防护等级:

    IP68/IP69K

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更多B2N供应商 更新时间2026-10-22 16:01:00