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B2D10065E1	文件：2.30587 Mbytes Page：7 Pages	丝印：B2D10065E1；Package：TO-252-3；SiC Schottky Diode Features Low leakage current (IR) Zero reverse recovery current Temperature independent switching behavior Positive temperature coefficient on VF High surge current capacity Low capacitive charge Applications Switch mode power supplies (SMPS) Uninterruptible power supplies Server/telec 文件：2.30587 Mbytes 页数：7 Pages	BASICSEMI 基本半导体	BASICSEMI
B2D10065E1	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V SiC Schottky Diode	BASiC 基本半导体	BASiC
B2P3-VH(LF)(SN)	文件：0 bytes Page：0 Pages	/	JST/日压上传：深圳市骏创达科技有限公司	JST/日压
B2P3-VH(LF)(SN)	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	JST/日压上传：深圳市中飞凌科技有限公司	JST/日压
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更多B2D10065E1供应商更新时间2026-3-13 15:43:00