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B2045G	文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages	20.0 Ampere Surface Mount Dual Common Cathode Schottky Barrier Rectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BCM2045	文件：99.78 Kbytes Page：2 Pages	BLUTONIUMBLUETOOTH2.0EDRSINGLE-CHIPHCISOLUTION	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BD2045AFJ	文件：315.33 Kbytes Page：6 Pages	SiliconmonolithicintegratedcircuitUSBhighsideswitchIC	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD2045AFJ	文件：334.56 Kbytes Page：13 Pages	1chHighSideSwitchICsforUSBDevicesandMemoryCards	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD2045AFJ	文件：366.36 Kbytes Page：13 Pages	1chSmallCurrentOutputUSBHighSideSwitchICs	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD2045AFJ	文件：1.18582 Mbytes Page：26 Pages	0.5ACurrentLimitHighSideSwitchICs	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BLF2045	文件：133.78 Kbytes Page：11 Pages	UHFpowerLDMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodelateralD-MOStransistorencapsulatedina2-leadflangepackage(SOT467C)withaceramiccap.Thecommonsourceisconnectedtothemountingflange. FEATURES •Highpowergain •Easypowercontrol •Excellentruggedness •Sourceonundersideel	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF2045	文件：130.16 Kbytes Page：4 Pages	UHFpowerLDMOStransistor DESCRIPTION 30WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom1800to2200MHz. FEATURES •Typical2-toneperformanceatasupplyvoltageof26VandIDQof500mA -Outputpower=30W(PEP) -Gain=12.5dB -Efficiency=32 -dlm=-26dBc •Easy	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BLV2045N	文件：75.59 Kbytes Page：12 Pages	UHFpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarUHFpowertransistorina2-leadSOT390Aflangepackagewithaceramiccap.Theemitterisconnectedtotheflange. FEATURES •Emitterballastingresistorsforoptimumtemperatureprofile •Goldmetallizationensuresexcellentreliability •Internalinputandou	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C2045CT	文件：502.91 Kbytes Page：3 Pages	20ATrenchSchottkyRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC

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