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B1M160120HC	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V SiC MOSFET	BASiC 基本半导体	BASiC

技术参数

ID(A)：
20
RDS(on)(mΩ)：
160
Qg(nC)：
78
Eon(µJ)：
145
Eoff(µJ)：
51
Package Name：
TO-247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多B1M160120HC供应商更新时间2022-10-9 9:39:00

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