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B1D06065F	文件：1.38888 Mbytes Page：7 Pages	丝印：B1D06065F；Package：TO-263-2；SiC Schottky Diode Features Low leakage current (IR) Zero reverse recovery current Temperature independent switching behavior Positive temperature coefficient on VF High surge current capacity Low capacitive charge Switch mode power supplies (SMPS) Uninterruptible power supplies Server/telecom power suppl 文件：1.38888 Mbytes 页数：7 Pages	BASICSEMI 基本半导体	BASICSEMI
B1D06065F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V SiC Schottky Diode	BASiC 基本半导体	BASiC
B1D06065K	文件：1.36268 Mbytes Page：7 Pages	SiC Schottky Diode Features Extremely low reverse current No reverse recovery current Temperature independent switching Positive temperature coefficient on VF Excellent surge current capability Low capacitive charge Switch mode power supplies (SMPS) Uninterruptible power supplies Motor drivers Power fact 文件：1.36268 Mbytes 页数：7 Pages	BASICSEMI 基本半导体	BASICSEMI
B1D06065KF	文件：1.34394 Mbytes Page：7 Pages	SiC Schottky Diode Features Extremely low reverse current No reverse recovery current Temperature independent switching Positive temperature coefficient on VF Excellent surge current capability Low capacitive charge Switch mode power supplies (SMPS) Uninterruptible power supplies Motor drivers Power fact 文件：1.34394 Mbytes 页数：7 Pages	BASICSEMI 基本半导体	BASICSEMI
B1D06065KS	文件：733.01 Kbytes Page：7 Pages	SiC Schottky Diode Features ⚫ Ceramic package provides 2.5kV isolation ⚫ Extremely low reverse current ⚫ No reverse recovery current ⚫ Temperature independent switching ⚫ Positive temperature coefficient on VF ⚫ Excellent surge current capability ⚫ Low capacitive charge 文件：733.01 Kbytes 页数：7 Pages	BASICSEMI 基本半导体	BASICSEMI

技术参数

IF(A)：
6
IFSM(A)：
45
VF(V)：
1.43
Ptot(W)：
89
QC(nC)：
17
Package Name：
TO-263-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市虞达美电子有限公司	B1D06065F	基本半导体	2021+	TO-263-2	5000	全新、原装	询价
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更多B1D06065F供应商更新时间2022-10-9 9:39:00

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