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B1D06065F	文件：1.38888 Mbytes Page：7 Pages	Marking：B1D06065F；Package：TO-263-2；SiC Schottky Diode Features Lowleakagecurrent(IR) Zeroreverserecoverycurrent Temperatureindependentswitchingbehavior PositivetemperaturecoefficientonVF Highsurgecurrentcapacity Lowcapacitivecharge Switchmodepowersupplies(SMPS) Uninterruptiblepowersupplies Server/telecompowersuppl	BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR 基本半导体深圳基本半导体有限公司	BASICSEMI
B1D06065E	文件：849.56 Kbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyDiode Features ⚫Extremelylowreversecurrent ⚫Noreverserecoverycurrent ⚫Temperatureindependentswitching ⚫PositivetemperaturecoefficientonVF ⚫Excellentsurgecurrentcapability ⚫Lowcapacitivecharge Benefits ⚫Essentiallynoswitchinglosses ⚫Systemefficiencyimprovementover	BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR 基本半导体深圳基本半导体有限公司	BASICSEMI
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B1D06065KF	文件：1.34394 Mbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyDiode Features Extremelylowreversecurrent Noreverserecoverycurrent Temperatureindependentswitching PositivetemperaturecoefficientonVF Excellentsurgecurrentcapability Lowcapacitivecharge Switchmodepowersupplies(SMPS) Uninterruptiblepowersupplies Motordrivers Powerfact	BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR 基本半导体深圳基本半导体有限公司	BASICSEMI
B1D06065KS	文件：733.01 Kbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyDiode Features ⚫Ceramicpackageprovides2.5kVisolation ⚫Extremelylowreversecurrent ⚫Noreverserecoverycurrent ⚫Temperatureindependentswitching ⚫PositivetemperaturecoefficientonVF ⚫Excellentsurgecurrentcapability ⚫Lowcapacitivecharge	BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR 基本半导体深圳基本半导体有限公司	BASICSEMI

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