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BAT160A	文件：196.84 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT160C	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT160C	文件：192.04 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarrierdoublediodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT160C	文件：196.87 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT160S	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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BAT160S	文件：196.93 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT160S-Q	文件：196.49 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BB-160	文件：375.28 Kbytes Page：1 Pages	BaseboardforTMCM-160	TRINAMIC TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.	TRINAMIC
BC160	文件：50.6 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaTO-39metalpackage. NPNcomplements:BC140andBC141. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS •Generalpurposeapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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