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KTB1369	文件：149.09 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-180V(Min) •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-1.0V(Max)@(IC=-0.5A,IB=-50mA) •ComplementtoTypeKTD2061 APPLICATIONS •HighVoltageapplication •TV,monitorverticaloutputapplication •Driverstageapp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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