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B120B	文件：180.82 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers REVERSEVOLTAGE:20---60VCURRENT:1.0A Features ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◇Forsurfacemountedapplications ◇Lowprofilepackage ◇Built-instrainrelief ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Highsurgecapab	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
B120B	文件：94.44 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE:20---60VCURRENT:1.0A FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◇Forsurfacemountedapplications ◇Lowprofilepackage ◇Built-instrainrelief ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Highsurgecapab	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
B120B	文件：113.05 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B120B	文件：216.38 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
B120B	文件：52.99 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-20to200Volts FORWARDCURRENT-1.0Amperes FEATURES •Metal-Semiconductorjunctionwithguardring •Epitaxialconstruction •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0 •Foruseinlowvoltage,highfrequency	CTC ctconline	CTC
B120B	文件：486.5 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •IdeallySuitedforAutomaticAssembly •LowPowerLoss,HighEfficiency •SurgeOverloadRatingto30APeak •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplication •LeadFreeFin	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B120B	文件：216.1 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers REVERSEVOLTAGE20TO100VOLTSFORWARDCURRENT1.0AMPERE Feature: ForSurfaceMountApplication Metal-SemiconductorJunctionWithGuardring EpitaxialConstruction VeryLowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMeterialHasULFlammabilityClassif	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
B120B	文件：57.78 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •IdeallySuitedforAutomaticAssembly •LowPowerLoss,HighEfficiency •SurgeOverloadRatingto30APeak •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplication •LeadFreeFin	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B120BE	文件：480.96 Kbytes Page：6 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-TemperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHighTemperature Operation Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFr	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B120BQ	文件：340.59 Kbytes Page：6 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B120D	文件：858.58 Kbytes Page：2 Pages	TheflexiblebladeserverNECExpress5800/B120d	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
B120D-H	文件：859.29 Kbytes Page：2 Pages	TheenterprisebladeserverNECExpress5800/B120d-h	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
B120E	文件：1.20268 Mbytes Page：5 Pages	ReverseVoltage20to200VForwardCurrent1.0A ReverseVoltage20to200VForwardCurrent1.0A FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications Guardringforover	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
B120F	文件：612.16 Kbytes Page：2 Pages	Theflexiblebladeserver	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
B120F	文件：1.21808 Mbytes Page：6 Pages	ReverseVoltage20to200VForwardCurrent1.0A ReverseVoltage20to200VForwardCurrent1.0A FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications Guardringforover	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
B120G-H	文件：949.17 Kbytes Page：2 Pages	Theflexiblebladeserver	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
B120J	文件：94.94 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
B120L	文件：288.536 Kbytes Page：2 Pages	1A20VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
B120L	文件：288.536 Kbytes Page：2 Pages	1A20VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
B120L	文件：100.35 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers Features: Lowprofilepackage Idealforautomatedplacement GuardRingforovervoltageprotection Lowforwardvoltagedrop *ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON

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产品属性

产品编号：
AZ120KE
制造商：
Ohmite
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
PulsEater® A
包装：
卷带（TR）
容差：
±10%
功率 (W)：
5.5W
成分：
陶瓷
特性：
난연코팅，내습성，비유도성，펄스 내성，안전
工作温度：
-55°C ~ 150°C
封装/外壳：
径向
供应商器件封装：
径向引线
大小 / 尺寸：
1.181" 长 x 1.024" 宽（30.00mm x 26.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
1.024"（26.00mm）
描述：
RES 12 OHM 10% 5.5W RADIAL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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