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B250A	文件：1.56556 Mbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Forsurfacemountedapplications ◇Lowprofilepackage ◇Built-instrainrelief ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Highsurgecapability ◇Highcurrentcapability,lowforwardvolt	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
B250A	文件：532.34 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Forsurfacemountedapplications Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement Highforwardsurgecurrentc	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
B250AE	文件：447.03 Kbytes Page：6 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-TemperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHighTemperature Operation Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B250AF	文件：633.25 Kbytes Page：5 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-TemperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B250AF	文件：492.28 Kbytes Page：5 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-TemperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B250AQ	文件：286.74 Kbytes Page：6 Pages	2.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThisSchottkyBarrierRectifierisdesignedtomeetthegeneralrequirementsofcommercialapplications.Itisideallysuitedforuseas: •PolarityProtectionDiode •Re-CirculatingDiode •SwitchingDiode •BlockingDiode •FreewheelDiode FeaturesandBenefit	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B250B	文件：378.018 Kbytes Page：3 Pages	2A50VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
B250B	文件：542.4 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to200VoltsForwardCurrent-2.0Amperes FEATURES TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Forsurfacemountedapplications Metalsiliconjunction,majoritycarrierco	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
B250B	文件：343.56 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
B250BE	文件：447.03 Kbytes Page：6 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-TemperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHighTemperature Operation Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
AVD250
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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