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DirectFETPower MOSFET

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40 V、N 通道、最大 3 mΩ、汽车 MOSFET、DirectFET M4、Gen 10.7

AUIRL7736M2 结合最新的汽车 HEXFET® 功率 MOSFET 硅技术和先进的 DirectFET® 封装技术，实现优异性能，封装仅为 SO-8 或 5X6mm PQFN，外形仅 0.7mm。DirectFET® 封装兼容电源应用、PCB 装配设备和蒸汽相、红外线或对流焊接技术中所使用的现有布局几何形状，随附应用说明 AN-1035 提供制造方法和工艺相关信息。DirectFET® 封装支持双侧冷却，大幅降低汽车电源系统中的热传递。\n 该 HEXFET® 功率 MOSFET 设计用于注重效率和功率密度的应用。先进的 DirectFET® 封装平台结合最新的硅技术，使 \n优势:\n• 逻辑电平\n• 先进加工技术\n• 针对汽车电机驱动，直流-直流和其他重载应用进行了优化\n• 封装小，外形小巧\n• 高功率密度\n• 寄生参数低\n• 双面冷却\n• 175°C 的工作温度\n• 具有重复雪崩能力，可实现鲁棒性和可靠性\n• 无铅，符合 RoHS 且无卤素\n• 通过汽车认证* ;

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