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AUIRL1404Z	文件：760.37 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：760.37 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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AUIRL1404ZL	文件：380.99 Kbytes Page：15 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：380.99 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
AUIRL1404ZL	文件：760.37 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：760.37 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRL1404ZS	文件：760.37 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：760.37 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRL1404ZS	文件：380.99 Kbytes Page：15 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：380.99 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
AUIRL1404ZSTRL	文件：380.99 Kbytes Page：15 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：380.99 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
AUIRL1404ZSTRL	文件：760.37 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：760.37 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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AUIRL1404Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

RDS (on)(@10V) max：
3.1mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
5.9mΩ
QG(typical) ：
75.0nC
VDS max：
40.0V
ID (@ TC=100°C) max：
130.0A
ID max：
130.0A
ID (@ TC=25°C) max：
180.0A
RthJC max：
0.75K/W
Ptot max：
200.0W
Mounting ：
THT
Qgd ：
40.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
16.0V
Polarity ：
N

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