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AUIRGR4045D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

AUIRGR4045D
厂商型号

AUIRGR4045D

参数属性

AUIRGR4045D 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 12A 77W DPAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

458.74 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
IRF
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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AUIRGR4045D规格书详情

特性 Features

• Low VCE (on) Trench IGBT Technology

• Low Switching Losses

• 5µs SCSOA

• Square RBSOA

• 100 of The Parts Tested for ILM ①

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode

• Tighter Distribution of Parameters

• Lead-Free, RoHS Compliant

• Automotive Qualified *

Benefits

• High Efficiency in a Wide Range of Applications

• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to Low VCE (ON) and Low Switching Losses

• Rugged Transient Performance for Increased Reliability

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation

• Low EMI

产品属性

  • 产品编号:

    AUIRGR4045D

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,6A

  • 开关能量:

    56µJ(开),122µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    27ns/75ns

  • 测试条件:

    400V,6A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 600V 12A 77W DPAK

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