选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
3040 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO-252 |
13000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEONDPAK-3 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONDPAK-3 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3040 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesTO-252AA |
3000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
9852 |
21+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-252-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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ADIN/A |
6000 |
2022+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
3040 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
3140 |
14+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO252AA |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEONDPAK-3 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONDPAK-3 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-252 |
1675 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO252AA |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
AUIRGR4045DTR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
AUIRGR4045DTR图片
AUIRGR4045DTRL中文资料Alldatasheet PDF
更多AUIRGR4045DTR功能描述:IGBT 晶体管 600V LO VCEON IGBT HALF BRIDGE 2 CH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
AUIRGR4045DTRL功能描述:IGBT 晶体管 600V LO VCEON IGBT HALF BRIDGE 2 CH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
AUIRGR4045DTRR功能描述:IGBT 晶体管 600V LO VCEON IGBT HALF BRIDGE 2 CH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube