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AUIRGP66524D0	文件：984.83 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features Low VCE(on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses 6µs SCSOA Guaranteed Square RBSOA and 100 Clamp IL Tested Positive VCE(on) Temperature Coefficient Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode Lead-Free, RoHS Compliant, Automotive Qualified * Benefits High 文件：984.83 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRGP66524D0	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast Co-Pack IGBT in a TO-247AC package	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRGP66524D0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 214W TO-247AC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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产品属性

产品编号：
AUIRGP66524D0
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，24A
开关能量：
915µJ（开），280µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/75ns
测试条件：
400V，24A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 60A 214W TO-247AC

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