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AUIRFS3306	文件：687.57 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：687.57 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRFS3306	文件：243.46 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：243.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFS3306	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package \n优势:\n• Advanced process technology\n• Ultra-low on-resistance\n• 175°C operating temperature\n• Fast switching\n• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax\n• Lead free, RoHS compliant\n• Automotive qualified;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRFS3306TRL	文件：243.46 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：243.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFS3306TRR	文件：243.46 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：243.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
AUIRFS3306/AUIRFS3306TRL
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK/D2PAK
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
4.2 mΩ
ID @25°C max：
110 A
QG typ @10V：
85 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
Gen 10.7

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