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AUIRFR5410	文件：226.46 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology 文件：226.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFR5410	文件：1.3487 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AP15P10DXXXYYYY；Package：TO-252；-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.3487 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
AUIRFR5410	文件：3.88022 Mbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：3.88022 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AUIRFR5410	文件：4.76325 Mbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：4.76325 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AUIRFR5410	文件：324.28 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：324.28 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRFR5410	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车 Q101 -100V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRFR5410TR	文件：226.46 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology 文件：226.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFR5410TRL	文件：226.46 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology 文件：226.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFR5410TRL	文件：324.28 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：324.28 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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技术参数

OPN：
AUIRFR5410TRL
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK
VDS max：
-100 V
RDS (on) @10V max：
205 mΩ
ID @25°C max：
-13 A
QG typ @10V：
38.7 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
Gen 5

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