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AUIRFR540Z	文件：276.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 35A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 28.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Automatic Voltage Regulator · Solenoid Injection · Body Control 文件：276.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AUIRFR540Z	文件：1.75429 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AP50N10D；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 100V ID =50A RDS(ON) 文件：1.75429 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
AUIRFR540Z	文件：731.83 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：731.83 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRFR540Z	文件：280.77 Kbytes Page：12 Pages	Automatic Voltage Regulator 文件：280.77 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFR540ZTR	文件：280.77 Kbytes Page：12 Pages	Automatic Voltage Regulator 文件：280.77 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFR540ZTRL	文件：280.77 Kbytes Page：12 Pages	Automatic Voltage Regulator 文件：280.77 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFR540ZTRL	文件：731.83 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：731.83 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRFR540ZTRR	文件：280.77 Kbytes Page：12 Pages	Automatic Voltage Regulator 文件：280.77 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFR540Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 V、N 通道、最大 28.5 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、Gen 10.2 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
AUIRFR540Z/AUIRFR540ZTRL
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK/DPAK
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
28.5 mΩ
ID @25°C max：
35 A
QG typ @10V：
39 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
Gen 10.2

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