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AUIRFN8401	文件：617.46 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：617.46 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRFN8401	文件：617.46 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：617.46 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
AUIRFN8401	文件：617.46 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：617.46 Kbytes 页数：11 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AUIRFN8401	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B/E 封装 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRFN8401TR	文件：617.46 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：617.46 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

RDS (on)(@10V) max：
4.6mΩ
QG(typical) ：
44.0nC
VDS max：
40.0V
ID (@ TC=100°C) max：
59.0A
ID max：
59.0A
ID (@ TC=25°C) max：
84.0A
RthJC max：
2.4K/W
Ptot(@ TA=25°C) max：
4.2W
Ptot max：
62.0W
Moisture Sensitivity Level ：
1
Mounting ：
SMD
Polarity ：
N
Qgd ：
15.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

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