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AUIRF9952Q	文件：329.92 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power 文件：329.92 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF9952Q	文件：264.53 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Planar Technology Low On-Resistance Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power 文件：264.53 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRF9952QTR	文件：264.53 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Planar Technology Low On-Resistance Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power 文件：264.53 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRF9952QTR	文件：329.92 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power 文件：329.92 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF9952Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车 Q101 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET，采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Polarity ：
N+P
Qgd(typ) ：
1.8nC
VGS max：
20.0V
RthJA max：
62.5K/W
Tj max：
150.0°C
Budgetary Price €/1k ：
0.41

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更多AUIRF9952Q供应商更新时间2026-1-28 14:00:00

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