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AUIRF7769L2	文件：453.7 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：453.7 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF7769L2	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 汽车级的单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET L8 封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为124 A。	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF7769L2TR	文件：453.7 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：453.7 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF7769L2TR_15	文件：453.7 Kbytes Page：11 Pages	Automotive DirectFET Power MOSFET 文件：453.7 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
AUIRF7769L2TR
Qualification：
Automotive
Package name：
MG-WDSON-11
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
3.5 mΩ
ID @25°C max：
124 A
QG typ @10V：
200 nC
Polarity：
N/N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
Gen 10.7

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