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AUIRF7749L2	文件：464.96 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE GRADE  Advanced Process Technology  Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications  Exceptionally Small Footprint and Low Profile  High Power Density  Low Parasitic Parameters  Dual Sided Cooling  175°C Operating Temperature  Repetitive Avalanche Allowed up 文件：464.96 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF7749L2	文件：508.35 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：508.35 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRF7749L2	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V、N 通道、最大 1.5 mΩ、汽车 MOSFET、DirectFET L8、Gen 10.7 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 针对汽车电机驱动，直流-直流和其他重载应用进行了优化\n• 封装小，外形小巧\n• 高功率密度\n• 寄生参数低\n• 双面冷却\n• 175°C 的工作温度\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS 且无卤素\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF7749L2TR	文件：464.96 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE GRADE  Advanced Process Technology  Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications  Exceptionally Small Footprint and Low Profile  High Power Density  Low Parasitic Parameters  Dual Sided Cooling  175°C Operating Temperature  Repetitive Avalanche Allowed up 文件：464.96 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF7749L2TR	文件：508.35 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：508.35 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
AUIRF7749L2TR
Qualification：
Automotive
Package name：
MG-WDSON-11
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
1.5 mΩ
ID @25°C max：
345 A
QG typ @10V：
183 nC
Polarity：
N/N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
Gen 10.7

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更多AUIRF7749L2供应商更新时间2025-12-14 13:01:00

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