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AUIRF7738L2 | Advanced Process Technology 文件：444.92 Kbytes 页数：11 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
AUIRF7738L2 | 40V 汽车级的单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET L6 封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为184 A。 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 封装小，外形小巧\n• 高功率密度\n• 寄生参数低\n• 双面冷却\n• 175°C 的工作温度\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS 且无卤素\n• 通过汽车认证; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Advanced Process Technology 文件：444.92 Kbytes 页数：11 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
Automotive DirectFETPower MOSFET 文件：299.85 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Automotive DirectFET Power MOSFET 文件：444.92 Kbytes 页数：11 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
Automotive DirectFETPower MOSFET 文件：299.85 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- OPN：
AUIRF7738L2TR
- Qualification：
Automotive
- Package name：
MG-WDSON-9
- VDS max：
40 V
- RDS (on) @10V max：
1.6 mΩ
- ID @25°C max：
184 A
- QG typ @10V：
129 nC
- Polarity：
N
- VGS(th) min：
2 V
- VGS(th) max：
4 V
- Technology：
Gen 10.7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-1-31 15:51:00
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