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|---|---|---|---|---|
AUIRF7665S2 | Advanced Process Technology 文件：480.4 Kbytes 页数：11 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
AUIRF7665S2 | 100V 汽车级的频单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SB 封装，额定电流为 14.4 A。 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 封装小，外形小巧\n• 高功率密度\n• 寄生参数低\n• 双面冷却\n• 175°C 的工作温度\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS 且无卤素\n• 通过汽车认证; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Automotive DirectFET Power MOSFET 文件：480.4 Kbytes 页数：11 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
DirectFETPower MOSFET 文件：332.38 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：480.4 Kbytes 页数：11 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
DirectFETPower MOSFET 文件：348.39 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
DirectFETPower MOSFET 文件：348.39 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
DirectFETPower MOSFET 文件：332.38 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- RDS (on)(@10V) max：
62.0mΩ
- QG(typical) ：
8.3nC
- VDS max：
100.0V
- ID (@ TA=25°C) max：
4.1A
- ID (@ TC=100°C) max：
10.2A
- ID max：
10.2A
- ID (@ TC=25°C) max：
14.4A
- RthJC max：
5.0K/W
- Ptot(@ TA=25°C) max：
2.4W
- Ptot max：
30.0W
- Mounting ：
SMD
- Polarity ：
N
- Qgd ：
3.2nC
- Tj max：
175.0°C
- VGS max：
20.0V
- Moisture Sensitivity Level ：
1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
MG-WDSON-4 |
41500 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
IR |
22+ |
FETSB |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
FETSB |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
FETSB |
7000 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET SB |
4800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
DirectFET-SmallCan |
105000 |
4800个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
DIRECTFET |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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- MAX232E-TD
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- SI7909DN
- SI7941DP
- SI7901EDN
- SI7940DP
- SI7956DP
- SI7980DP
- SI7902EDN
- SI7998DP
- SI7960DP
- SI7943DP
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