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AUIRF7478Q

Low On-Resistance

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未分类制造商

AUIRF7478Q

AUTOMOTIVE GRADE

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IRF

AUIRF7478Q

AUTOMOTIVE GRADE

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INFINEON

英飞凌

AUIRF7478QTR

AUTOMOTIVE GRADE

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INFINEON

英飞凌

AUIRF7478QTR

AUTOMOTIVE GRADE

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IRF

AUIRF7478Q

汽车Q101 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

\n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅,符合 RoHS\n• 通过汽车认证;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • VDS max:

    60.0V

  • ID (@ TA=70°C) max:

    5.6A

  • ID (@ TA=25°C) max:

    7.0A

  • RDS (on)(@10V) max:

    26.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V LL) max:

    30.0mΩ

  • QG(typical) :

    21.0nC 

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

  • Mounting :

    SMD

  • Polarity :

    N

  • Qgd :

    9.6nC 

  • RthJA max:

    50.0K/W

  • Tj max:

    150.0°C

  • VGS max:

    20.0V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AUIRF7478Q供应商 更新时间2026-1-29 16:10:00