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AUIRF7379Q	文件：355.26 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：355.26 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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AUIRF7379Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车 Q101 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET，采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
AUIRF7379QTR
Qualification：
Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
45 mΩ
ID @25°C max：
5.8 A
QG typ @10V：
17 nC
Polarity：
N+P
VGS(th) min：
1 V/-1 V
VGS(th) max：
3 V/3 V
Technology：
Gen 5

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