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AUIRF7341Q	文件：427.2 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE GRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRF7341Q	文件：227.71 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology Ultra Low On-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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ADV7341	文件：1.08564 Mbytes Page：88 Pages	MultiformatVideoEncoder,Six12-BitNoiseShapedVideo짰DACS FEATURES 74.25MHz20-/30-bithighdefinitioninputsupport CompliantwithSMPTE274M(1080i),296M(720p),and240M(1035i) 6NoiseShapedVideo(NSV)12-bitvideoDACs 16×(216MHz)DACoversamplingforSD 8×(216MHz)DACoversamplingforED 4×(297	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
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AM7341P	文件：78.74 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel40-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power
AP7341	文件：1.05368 Mbytes Page：14 Pages	300mAHIGHPSRRLOWNOISELDOWITHENABLE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
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AS7341	文件：2.27026 Mbytes Page：69 Pages	11-ChannelMulti-SpectralDigitalSensor Features 8opticalchannelsdistributedoverthevisible spectralrange+clearandNIRchannels realizedviasiliconnano-opticinterferencefilter depositiontechnologies ●1.8VDDoperation,max300μA ●Configurablesleepmodeto	AMSCO austriamicrosystems AG
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AS7341-DLGT	文件：2.27059 Mbytes Page：69 Pages	11-ChannelMulti-SpectralDigitalSensor Features 8opticalchannelsdistributedoverthevisible spectralrange+clearandNIRchannels realizedviasiliconnano-opticinterferencefilter depositiontechnologies ●1.8VDDoperation,max300μA ●Configurablesleepmodeto	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体
AS7341L	文件：2.17449 Mbytes Page：65 Pages	10-ChannelSpectralSensorFrontend Features 8opticalchannelsdistributedoverthevisible spectralrange+clearandNIRchannelto accuratelymeasureandmatchcolorsinmobile phoneaccessories ●1.8VDDoperation ●Configurablesleepmode ●Interrupt-drivendevice GPIOcanbeusedasexternaltriggerinput GPIOcanbe	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体
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CM7341	文件：35.66 Kbytes Page：1 Pages	MidgetFlangeBase	VCC Visual Communications Company
CM7341	文件：222.37 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4MidgetFlangeBase T-13/4MidgetFlangeBase	CMLCML CML
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F7341	文件：134.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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