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AUIRF7341Q	文件：427.2 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：427.2 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF7341Q	文件：227.71 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology Ultra Low On-Resistance 文件：227.71 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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AUIRF7341Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证\n• 目标应用：\n• 端口喷射\n• 电磁阀喷射;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
AUIRF7341QTR
Qualification：
Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
50 mΩ
ID @25°C max：
5.1 A
QG typ @10V：
29 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
3 V
Technology：
Gen 5

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