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AUIRF7313Q	文件：584.49 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：584.49 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF7313Q	文件：245.49 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Planar Technology Dual N Channel MOSFET 文件：245.49 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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AUIRF7313Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车 Q101 30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
AUIRF7313QTR
Qualification：
Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
29 mΩ
ID @25°C max：
6.9 A
QG typ @10V：
22 nC
Polarity：
N+N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
3 V
Technology：
Gen 5

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