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AUIRF7304Q	文件：523.15 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：523.15 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF7304Q	文件：222.43 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology Low On-Resistance 文件：222.43 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRF7304QTR	文件：222.43 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology Low On-Resistance 文件：222.43 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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AUIRF7304Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车 Q101 -20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
-20.0V
ID (@ TA=25°C) max：
-4.3A
ID (@ TA=70°C) max：
-3.4A
RDS (on)(@4.5V LL) max：
90.0mΩ
RDS (on)(@2.7V) max：
140.0mΩ
QG(typical) ：
14.7nC
Polarity ：
P+P
Qgd(typ) ：
6.0nC
Tj max：
150.0°C
Moisture Sensitivity Level ：
1
RthJA max：
62.5K/W
VGS max：
12.0V

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更多AUIRF7304Q供应商更新时间2026-1-31 14:16:00

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