IscP-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=-13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= -150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max) @ VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION ·motor drive, DC-D

文件：366.26 Kbytes 页数：3 Pages

ISC

无锡固电

AUTOMOTIVE GRADE

文件：1.43428 Mbytes 页数：10 Pages

INFINEON

英飞凌

Advanced Planar Technology Low On-Resistance

文件：825.78 Kbytes 页数：12 Pages

IRF

AUTOMOTIVE GRADE

文件：1.43428 Mbytes 页数：10 Pages

INFINEON

英飞凌

-150 V、P 通道、最大 290 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、Gen 5

\n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;

Infineon

英飞凌